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FDG6332C

FDG6332C ON Semiconductor

fdg6332c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details FDG6332C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : onsemi fdg6332c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
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Part Status: Active
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : onsemi / Fairchild FDG6332C_D-2312483.pdf MOSFETs 20V N&P-Channel Power Trench
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013670044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6332C Hersteller : onsemi fdg6332c-d.pdf Транз. сборка пол. SOT-363 N/P-Channel MOSFET Vdss=20 V, Id=700 mA, Rdson=0,3 Ohm, Pd=0,3 W
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6332C FDG6332C Hersteller : ON Semiconductor fdg6332c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6332C Hersteller : ONSEMI fdg6332c-d.pdf FDG6332C Multi channel transistors
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