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FDL100N50F

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Produktcode: 207644
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDL100N50F FDL100N50F ON Semiconductor fdl100n50fd.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
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25+21.69 EUR
100+20.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDL100N50F FDL100N50F ON Semiconductor fdl100n50fd.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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25+21.69 EUR
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FDL100N50F FDL100N50F ON Semiconductor fdl100n50fd.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
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8+23.55 EUR
10+19.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDL100N50F FDL100N50F ON Semiconductor fdl100n50fd.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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8+23.67 EUR
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FDL100N50F FDL100N50F onsemi FDL100N50F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.34 EUR
25+24.04 EUR
50+22.32 EUR
100+22.03 EUR
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FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI FDL100N50F-D.pdf Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.31 EUR
10+32.69 EUR
50+27.18 EUR
100+26.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDL100N50F FDL100N50F onsemi FDL100N50F-D.pdf MOSFETs UniFET 500V
auf Bestellung 2288 Stücke:
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1+41.86 EUR
10+31.25 EUR
100+27.01 EUR
500+25.6 EUR
1000+23.92 EUR
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FDL100N50F FDL100N50F ON-Semiconductor TFDL100n50f_FAIRCHILD_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+65.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI FDL100N50F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UniFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDL100N50F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+20.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDL100N50F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FDL100N50F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
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FDL100N50F
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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FDL100N50F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
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FDL100N50F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+39.31 EUR
10+32.69 EUR
50+27.18 EUR
100+26.24 EUR
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FDL100N50F
Hersteller: onsemi
MOSFETs UniFET 500V
auf Bestellung 2288 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+41.86 EUR
10+31.25 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f
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FDL100N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UniFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
auf Bestellung 16 Stücke:
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