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FDMA410NZ

FDMA410NZ ON Semiconductor

fdma410nz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details FDMA410NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDMA410NZ_D-2312376.pdf MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : ONSEMI 2572512.pdf Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : onsemi fdma410nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FDMA410NZ-1294960.pdf MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : ONSEMI 2572512.pdf Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : ON Semiconductor 3653617810248058fdma410nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA410NZ Hersteller : ONSEMI fdma410nz-d.pdf FDMA410NZ SMD N channel transistors
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FDMA410NZ FDMA410NZ Hersteller : onsemi fdma410nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
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