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FDMA420NZ onsemi

Name: FDMA420NZ
Brand: onsemi
SKU: 1922985-3
Price: 1110.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Technische Details FDMA420NZ onsemi

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDMA420NZ

onsemi / Fairchild

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

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onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

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ONSEMI

ONSM-S-A0003586456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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