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| 3000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details FDMA430NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMA430NZ nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 2.4W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA430NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA430NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 2.4W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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