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Technische Details FDMA430NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm.
Weitere Produktangebote FDMA430NZ nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMA430NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER |
auf Bestellung 101341 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET |
auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER |
auf Bestellung 18773 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm |
auf Bestellung 25770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm |
auf Bestellung 25770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: MicroFET On-state resistance: 61mΩ Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA430NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: MicroFET On-state resistance: 61mΩ |
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