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FDMA86108LZ

FDMA86108LZ onsemi

fdma86108lz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
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Technische Details FDMA86108LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote FDMA86108LZ nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMA86108LZ FDMA86108LZ Hersteller : onsemi / Fairchild fdma86108lz-d.pdf MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMA86108LZ FDMA86108LZ Hersteller : onsemi fdma86108lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
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FDMA86108LZ FDMA86108LZ Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FDMA86108LZ-D-1807090.pdf MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
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FDMA86108LZ FDMA86108LZ Hersteller : ON Semiconductor fdma86108lzjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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FDMA86108LZ Hersteller : ONSEMI fdma86108lz-d.pdf FDMA86108LZ SMD N channel transistors
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