auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMA86151L onsemi
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote FDMA86151L nach Preis ab 1.12 EUR bis 2.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA86151L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA86151L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FDMA86151L | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22 |
auf Bestellung 12428 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMA86151L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| FDMA86151L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.4W Gate charge: 7.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
FDMA86151L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| FDMA86151L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.4W Gate charge: 7.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 20A |
Produkt ist nicht verfügbar |