FDMB2308PZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.42 EUR |
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Technische Details FDMB2308PZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDMB2308PZ nach Preis ab 1.47 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDMB2308PZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench |
auf Bestellung 4185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMB2308PZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 6MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MLP (2x3) Part Status: Active |
auf Bestellung 8954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMB2308PZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMB2308PZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMB2308PZ | Hersteller : ONSEMI |
FDMB2308PZ Multi channel transistors |
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