FDMB3800N onsemi / Fairchild
auf Bestellung 16494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.02 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.16 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.88 EUR |
| 6000+ | 0.83 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMB3800N onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMB3800N nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMB3800N | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Part Status: Active |
auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDMB3800N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| FDMB3800N | Hersteller : FAIRCHILD |
|
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
 |
FDMB3800N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| FDMB3800N | Hersteller : ONSEMI |
FDMB3800N Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
FDMB3800N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |