FDMB3800N onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FDMB3800N onsemi
Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMB3800N nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDMB3800N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Part Status: Active |
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FDMB3800N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET |
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FDMB3800N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMB3800N | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMB3800N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMB3800N | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.8A; Idm: 9A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 5.6nC On-state resistance: 61mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMB3800N | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.8A; Idm: 9A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 5.6nC On-state resistance: 61mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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