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Technische Details FDMB3900AN onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 7A, On-state resistance: 33mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 28A, Case: MicroFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMB3900AN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP |
auf Bestellung 3427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMB3900AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 7A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Case: MicroFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMB3900AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 7A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Case: MicroFET |
Produkt ist nicht verfügbar |