FDMB3900AN

FDMB3900AN onsemi / Fairchild


FDMB3900AN_D-1807510.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 25V Dual N-Chanenl
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Technische Details FDMB3900AN onsemi / Fairchild

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 7A, On-state resistance: 33mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 28A, Case: MicroFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMB3900AN FDMB3900AN Hersteller : ON Semiconductor FDMB3900AN-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
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FDMB3900AN FDMB3900AN Hersteller : ON Semiconductor FDMB3900AN-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
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FDMB3900AN FDMB3900AN Hersteller : ON Semiconductor 3648006363300451fdmb3900an.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMB3900AN Hersteller : ONSEMI FDMB3900AN-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 28A
Case: MicroFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMB3900AN Hersteller : ONSEMI FDMB3900AN-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
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