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Technische Details FDMB3900AN onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET, Mounting: SMD, On-state resistance: 33mΩ, Power dissipation: 1.6W, Drain current: 7A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Pulsed drain current: 28A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: MicroFET, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMB3900AN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP |
auf Bestellung 3427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMB3900AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMB3900AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Pulsed drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMB3900AN | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Pulsed drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC |
Produkt ist nicht verfügbar |