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FDMC0310AS-F127 onsemi


fdmc0310as-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDMC0310AS-F127 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC0310AS-F127 FDMC0310AS-F127 onsemi fdmc0310as-d.pdf MOSFETs Computing MOSFET
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FDMC0310AS-F127 FDMC0310AS-F127 onsemi fdmc0310as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
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FDMC0310AS-F127 ON Semiconductor fdmc0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
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