Produkte > ONSEMI > FDMC3612
FDMC3612

FDMC3612 onsemi


fdmc3612-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 327000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
9000+0.42 EUR
15000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMC3612 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDMC3612 nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
131+1.09 EUR
149+0.92 EUR
250+0.89 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
121+1.23 EUR
131+1.05 EUR
149+0.89 EUR
250+0.85 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC3612_D-2255801.pdf MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.46 EUR
10+1.00 EUR
25+0.99 EUR
100+0.76 EUR
250+0.75 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 327119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
16+1.12 EUR
100+0.77 EUR
500+0.60 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014594763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 FDMC3612 Hersteller : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC3612 Hersteller : ONSEMI fdmc3612-d.pdf FDMC3612 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH