FDMC3612 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
auf Bestellung 327000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.46 EUR |
| 6000+ | 0.43 EUR |
| 9000+ | 0.42 EUR |
| 15000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details FDMC3612 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDMC3612 nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDMC3612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC3612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC3612 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 9426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC3612 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
auf Bestellung 327119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC3612 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC3612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC3612 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC3612 | Hersteller : ONSEMI |
FDMC3612 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |