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FDMC4435BZ

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 26946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 622
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 622
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI FDMC4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
52+1.39 EUR
59+1.22 EUR
85+0.85 EUR
100+0.73 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.83 EUR
110+1.3 EUR
154+0.9 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ onsemi fdmc4435bz-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 32239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 63859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 63859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI fdmc4435bz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.63 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.63 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 26946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
622+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 622
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
622+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 622
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FDMC4435BZ FDMC4435BZ.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
52+1.39 EUR
59+1.22 EUR
85+0.85 EUR
100+0.73 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+1.83 EUR
110+1.3 EUR
154+0.9 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.62 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 32239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.64 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ 3999349.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 63859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ 3999349.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 63859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH