| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMC4D9P20X8 onsemi
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -47A, Pulsed drain current: -335A, Power dissipation: 40W, Case: PQFN8, On-state resistance: 16.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 109nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V.
Weitere Produktangebote FDMC4D9P20X8
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC4D9P20X8 | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC4D9P20X8 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -47A Pulsed drain current: -335A Power dissipation: 40W Case: PQFN8 On-state resistance: 16.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC4D9P20X8 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDMC4D9P20X8 |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH