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Technische Details FDMC4D9P20X8 onsemi
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -47A, Pulsed drain current: -335A, Power dissipation: 40W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 16.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 109nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMC4D9P20X8
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| FDMC4D9P20X8 | Hersteller : ONSEMI |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -47A Pulsed drain current: -335A Power dissipation: 40W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDMC4D9P20X8 | Hersteller : ON Semiconductor |
P-Channel Power Trench® MOSFET |
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FDMC4D9P20X8 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN |
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| FDMC4D9P20X8 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -47A Pulsed drain current: -335A Power dissipation: 40W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 16.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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