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FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 onsemi

fdmc8010et30-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
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Technische Details FDMC8010ET30 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Power33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC8010ET30 ON Semiconductor fdmc8010et30-d.pdf FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com
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FDMC8010ET30 ONSEMI ONSM-S-A0008938566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
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