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FDMC86102

FDMC86102 ON Semiconductor

fdmc86102-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
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Technische Details FDMC86102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 3000
FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC86102_D-2312698.pdf MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
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250+ 3.2 EUR
500+ 2.91 EUR
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3000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86102_D-2312698.pdf MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC86102 FDMC86102 Hersteller : ON Semiconductor 3653189901499827fdmc86102.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC86102 Hersteller : ONSEMI fdmc86102-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 41W
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMC86102 Hersteller : ONSEMI fdmc86102-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 41W
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
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