FDMC86102 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FDMC86102 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDMC86102 nach Preis ab 1.30 EUR bis 4.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDMC86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench |
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FDMC86102 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86102 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86102 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86102 | Hersteller : ONSEMI |
FDMC86102 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |