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FDMC86102L

FDMC86102L onsemi

fdmc86102l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
auf Bestellung 5190 Stücke:
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Technische Details FDMC86102L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDMC86102L nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
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82+1.78 EUR
83+1.7 EUR
106+1.27 EUR
250+1.17 EUR
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
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67+2.17 EUR
82+1.72 EUR
83+1.63 EUR
106+1.22 EUR
250+1.12 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC86102L_D-2312384.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 30826 Stücke:
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10+2.06 EUR
100+1.6 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.1 EUR
3000+1.04 EUR
6000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : onsemi fdmc86102l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
auf Bestellung 5231 Stücke:
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7+2.73 EUR
10+1.99 EUR
100+1.37 EUR
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1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 826 Stücke:
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : ON Semiconductor 3657790926866674fdmc86102l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86102L FDMC86102L Hersteller : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86102L Hersteller : ONSEMI fdmc86102l-d.pdf FDMC86102L SMD N channel transistors
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