FDMC86116LZ ON Semiconductor
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Technische Details FDMC86116LZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC86116LZ nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMC86116LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
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FDMC86116LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
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FDMC86116LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86116LZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V |
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FDMC86116LZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET |
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FDMC86116LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDMC86116LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 16167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86116LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86116LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R |
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| FDMC86116LZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.5A On-state resistance: 178mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15A Mounting: SMD Case: WDFN8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMC86116LZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V |
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| FDMC86116LZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.5A On-state resistance: 178mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15A Mounting: SMD Case: WDFN8 |
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