FDMC86184 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.33 EUR |
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Technische Details FDMC86184 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0064 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMC86184 nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDMC86184 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
auf Bestellung 31904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86184 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86184 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0064 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86184 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
auf Bestellung 4851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86184 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0064 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86184 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86184 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86184 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 266A; 54W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 266A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86184 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 266A; 54W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 266A Mounting: SMD |
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