FDMC8622 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 1.57 EUR |
6000+ | 1.5 EUR |
9000+ | 1.43 EUR |
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Technische Details FDMC8622 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC8622 nach Preis ab 1.5 EUR bis 3.8 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMC8622 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 22972 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMC8622 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V |
auf Bestellung 33384 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMC8622 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8622 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8622 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 31W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8622 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8622 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8622 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
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FDMC8622 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: WDFN8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMC8622 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: WDFN8 |
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