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FDMC8622

FDMC8622 onsemi

fdmc8622-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
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6000+1.15 EUR
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Technische Details FDMC8622 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDMC8622 nach Preis ab 1.11 EUR bis 4.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC8622 FDMC8622 onsemi / Fairchild FDMC8622-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+3.25 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMC8622 FDMC8622 onsemi fdmc8622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
auf Bestellung 20076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.46 EUR
100+1.86 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDMC8622 FDMC8622 onsemi fdmc8622-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.29 EUR
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FDMC8622 FDMC8622 ONSEMI 2304884.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC8622 FDMC8622 ONSEMI 2304884.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
2+3.25 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
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Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
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10+2.81 EUR
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1000+1.39 EUR
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FDMC8622 2304884.pdf
FDMC8622
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FDMC8622
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 934 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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