Produkte > ONSEMI > FDMC86259P
FDMC86259P

FDMC86259P onsemi

fdmc86259p-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMC86259P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDMC86259P nach Preis ab 2.04 EUR bis 4.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMC86259P FDMC86259P Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC86259P-D.pdf MOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.73 EUR
10+3.08 EUR
100+2.68 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.32 EUR
3000+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259P FDMC86259P Hersteller : onsemi fdmc86259p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
auf Bestellung 13887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.54 EUR
10+3.46 EUR
100+2.77 EUR
500+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259P FDMC86259P Hersteller : ONSEMI 2572520.pdf Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259P FDMC86259P Hersteller : ONSEMI 2572520.pdf Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259P FDMC86259P Hersteller : ON Semiconductor fdmc86259p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 3.2A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86259P Hersteller : ONSEMI fdmc86259p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 178mΩ
Power dissipation: 62W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -13A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH