FDMC86260 ON Semiconductor
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| 3000+ | 1.62 EUR |
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Technische Details FDMC86260 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMC86260 nach Preis ab 1.28 EUR bis 3.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDMC86260 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 69505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V |
auf Bestellung 11035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMC86260 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86260 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMC86260 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 135A; 54W; WDFN8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 54W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: WDFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 135A Drain current: 25A |
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