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FDMC86260ET150

FDMC86260ET150 onsemi

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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
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Technische Details FDMC86260ET150 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Power33, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc).

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FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
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Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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