FDMC86261P onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
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Technische Details FDMC86261P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Weitere Produktangebote FDMC86261P nach Preis ab 1.18 EUR bis 5.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FDMC86261P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86261P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86261P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 2770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86261P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 12883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86261P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
auf Bestellung 4528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86261P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
auf Bestellung 4528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86261P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86261P | onsemi |
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 5195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC86261P | ONN |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC86261P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 1.65 EUR |
| 109+ | 1.57 EUR |
| 111+ | 1.49 EUR |
| 112+ | 1.4 EUR |
| 250+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 1.65 EUR |
| 109+ | 1.61 EUR |
| 111+ | 1.55 EUR |
| 112+ | 1.49 EUR |
| 250+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 2.59 EUR |
| 84+ | 2.07 EUR |
| 101+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 12883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.78 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 3000+ | 1.39 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.93 EUR |
| 109+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.77 EUR |
| 80+ | 2.93 EUR |
| 109+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
auf Bestellung 4211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.11 EUR |
| 10+ | 3.31 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.13 EUR |
| 10+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| 3000+ | 1.61 EUR |
| FDMC86261P |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)