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FDMC86320

FDMC86320 onsemi

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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
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Technische Details FDMC86320 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel.

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Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
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