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Technische Details FDMC86340 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMC86340 nach Preis ab 1.1 EUR bis 4.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDMC86340 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86340 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 4012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86340 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
auf Bestellung 9243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86340 | onsemi |
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86340 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86340 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDMC86340 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC86340 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 132+ | 1.1 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.37 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 273+ | 1.99 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 273+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 273+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 250+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 3000+ | 1.4 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.45 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 3000+ | 1.41 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.51 EUR |
| 10+ | 2.91 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| FDMC86340 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMC86340 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)