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FDMC86340

FDMC86340 ON Semiconductor

fdmc86340-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details FDMC86340 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
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132+1.32 EUR
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FDMC86340 FDMC86340 onsemi fdmc86340-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.39 EUR
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auf Bestellung 4012 Stücke:
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273+2.39 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1748 Stücke:
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273+2.39 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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FDMC86340 FDMC86340 ONSEMI fdmc86340-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMC86340 FDMC86340 onsemi / Fairchild FDMC86340_D-2312699.pdf MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 9243 Stücke:
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1+3.77 EUR
10+2.93 EUR
100+2.51 EUR
250+2.4 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.78 EUR
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FDMC86340 FDMC86340 ONSEMI fdmc86340-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
71+3.27 EUR
100+2.57 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
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FDMC86340 FDMC86340 onsemi fdmc86340-d.pdf MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
3000+1.68 EUR
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FDMC86340 FDMC86340 onsemi fdmc86340-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5281 Stücke:
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4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDMC86340
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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FDMC86340
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDMC86340
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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273+2.39 EUR
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FDMC86340
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4012 Stücke:
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FDMC86340
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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273+2.39 EUR
500+2.12 EUR
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FDMC86340
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMC86340
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.77 EUR
10+2.93 EUR
100+2.51 EUR
250+2.4 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.67 EUR
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FDMC86340
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.88 EUR
71+3.27 EUR
100+2.57 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
FDMC86340
Hersteller: onsemi
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
3000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
FDMC86340
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
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