FDMC86340 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
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Technische Details FDMC86340 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.005 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC86340 nach Preis ab 2.07 EUR bis 4.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMC86340 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V |
auf Bestellung 6180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86340 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
auf Bestellung 9543 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMC86340 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.005 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86340 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.005 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86340 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86340 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86340 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86340 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 54W Gate charge: 53nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power33 On-state resistance: 11mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86340 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 54W Gate charge: 53nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power33 On-state resistance: 11mΩ |
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