Produkte > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMC86340ET80
FDMC86340ET80

FDMC86340ET80 onsemi / Fairchild

FDMC86340ET80_D-2312635.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33
auf Bestellung 5026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.26 EUR
10+4.47 EUR
25+4.40 EUR
100+3.71 EUR
500+3.40 EUR
1000+2.92 EUR
3000+2.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMC86340ET80 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V.

Weitere Produktangebote FDMC86340ET80 nach Preis ab 2.75 EUR bis 5.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMC86340ET80 FDMC86340ET80 Hersteller : onsemi fdmc86340et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.58 EUR
10+3.74 EUR
100+3.08 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80 FDMC86340ET80 Hersteller : ONSEMI FDMC86340ET80JP-D.pdf Description: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80 FDMC86340ET80 Hersteller : ON Semiconductor fdmc86340et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80 Hersteller : ONSEMI fdmc86340et80-d.pdf FDMC86340ET80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86340ET80 FDMC86340ET80 Hersteller : onsemi fdmc86340et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH