FDMC86570L onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 2.15 EUR |
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Technische Details FDMC86570L onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0031 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMC86570L nach Preis ab 2.15 EUR bis 5.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDMC86570L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench |
auf Bestellung 10398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86570L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V |
auf Bestellung 4308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86570L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0031 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86570L | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench |
auf Bestellung 9578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86570L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0031 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86570L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86570L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC86570L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86570L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 416A; 54W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 416A Power dissipation: 54W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86570L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 416A; 54W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 416A Power dissipation: 54W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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