FDMC8878 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 97+ | 1.52 EUR |
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Technische Details FDMC8878 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FDMC8878 nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDMC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8878 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET |
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FDMC8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8878 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 93544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V |
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| FDMC8878 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: WDFN8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 31W Drain current: 16.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
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