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FDMC8878

FDMC8878 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details FDMC8878 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC8878 FDMC8878 ONSEMI FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDMC8878 FDMC8878 onsemi / Fairchild FDMC8878_D-1807220.pdf MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
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FDMC8878 FDMC8878 onsemi FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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6000+1.13 EUR
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FDMC8878
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+2.37 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
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