Produkte > ONSEMI > FDMC89521L
FDMC89521L

FDMC89521L onsemi

fdmc89521l-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMC89521L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDMC89521L nach Preis ab 1.03 EUR bis 4.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.72 EUR
97+1.45 EUR
112+1.21 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L onsemi / Fairchild FDMC89521L-D.PDF MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+2.32 EUR
100+1.76 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.53 EUR
100+1.99 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.11 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+1.72 EUR
97+1.45 EUR
112+1.21 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L-D.PDF
FDMC89521L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.73 EUR
10+2.32 EUR
100+1.76 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.8 EUR
10+2.53 EUR
100+1.99 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.11 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L 2724474.pdf
FDMC89521L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L FDMC89521L_D-2312701.pdf
FDMC89521L
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521L 2724474.pdf
FDMC89521L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH