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FDMD8560L

FDMD8560L ONSEMI

ONSM-S-A0003590390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.99 EUR
500+4.12 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details FDMD8560L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMD8560L FDMD8560L onsemi fdmd8560l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+6.01 EUR
100+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMD8560L FDMD8560L ONSEMI ONSM-S-A0003590390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.61 EUR
36+6.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FDMD8560L FDMD8560L ON Semiconductor / Fairchild FDMD8560L_D-2312307.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8560L ON Semiconductor fdmd8560l-d.pdf
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMD8560L fdmd8560l-d.pdf
FDMD8560L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDMD8560L ONSM-S-A0003590390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMD8560L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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36+6.54 EUR
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FDMD8560L FDMD8560L_D-2312307.pdf
FDMD8560L
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2265 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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