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FDMD8560L

FDMD8560L onsemi

fdmd8560l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.65 EUR
10+5.98 EUR
100+4.9 EUR
500+4.17 EUR
1000+3.52 EUR
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Technische Details FDMD8560L onsemi

Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMD8560L FDMD8560L Hersteller : ONSEMI fdmd8560l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMD8560L FDMD8560L Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FDMD8560L_D-2312307.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2265 Stücke:
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tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMD8560L Hersteller : ONSEMI fdmd8560l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMD8560L - MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 93A, PQFN-10
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMD8560L FDMD8560L Hersteller : onsemi fdmd8560l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
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