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FDME1023PZT

FDME1023PZT ON Semiconductor

fdme1023pzt-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
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Technische Details FDME1023PZT ON Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6).

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FDME1023PZT FDME1023PZT Hersteller : ON Semiconductor fdme1023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
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FDME1023PZT FDME1023PZT Hersteller : onsemi fdme1023pzt-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
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FDME1023PZT FDME1023PZT Hersteller : onsemi / Fairchild FDME1023PZT_D-2312792.pdf MOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench
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FDME1023PZT FDME1023PZT Hersteller : onsemi fdme1023pzt-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
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FDME1023PZT FDME1023PZT Hersteller : ON Semiconductor fdme1023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
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FDME1023PZT Hersteller : ONSEMI fdme1023pzt-d.pdf FDME1023PZT Multi channel transistors
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