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FDMQ8203

FDMQ8203 onsemi

fdmq8203-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details FDMQ8203 onsemi

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMQ8203 FDMQ8203 onsemi fdmq8203-d.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 17884 Stücke:
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6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDMQ8203 FDMQ8203 onsemi / Fairchild fdmq8203-d.pdf MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
auf Bestellung 1701 Stücke:
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1+4.27 EUR
10+2.84 EUR
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Power - Max: 2.5W
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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