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FDMQ8403

FDMQ8403 onsemi

fdmq8403-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Technische Details FDMQ8403 onsemi

Description: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85413000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 17W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMQ8403 FDMQ8403 onsemi / Fairchild fdmq8403-d.pdf MOSFETs SER BOOST LED DRVR
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FDMQ8403 FDMQ8403 onsemi fdmq8403-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
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FDMQ8403 FDMQ8403 ONSEMI ONSM-S-A0015852210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10052 Stücke:
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Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
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Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17W
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