FDMQ86530L onsemi / Fairchild
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.88 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 25+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 250+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| 1000+ | 2.48 EUR |
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Technische Details FDMQ86530L onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMQ86530L nach Preis ab 2.66 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FDMQ86530L | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) |
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FDMQ86530L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDMQ86530L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDMQ86530L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMQ86530L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMQ86530L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) |
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| FDMQ86530L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12 Type of transistor: N-MOSFET x4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 22W Case: MLP12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge Pulsed drain current: 50A Gate charge: 33nC |
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