| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 3000+ | 0.66 EUR |
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Technische Details FDMS0306AS onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 49A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 59W, Case: PQFN8, On-state resistance: 3.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 57nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote FDMS0306AS
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMS0306AS | Hersteller : FAIRCHILD | QFN |
auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDMS0306AS | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 59W Case: PQFN8 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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