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FDMS0306AS

FDMS0306AS onsemi

fdms0306as-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
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Technische Details FDMS0306AS onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V.

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FDMS0306AS FDMS0306AS onsemi / Fairchild FDMS0306AS-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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FDMS0306AS FDMS0306AS onsemi fdms0306as-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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FDMS0306AS FDMS0306AS onsemi fdms0306as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
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