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FDMS0312S

FDMS0312S ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS0312S ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS0312S FDMS0312S Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
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FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS0312S FDMS0312S onsemi / Fairchild FDMS0312S-D.PDF MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
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FDMS0312S FDMS0312S onsemi fdms0312s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
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FDMS0312S FAIRCHILD FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf QFN
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FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS0312S
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
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Hersteller: FAIRCHILD
QFN
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