FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor
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Technische Details FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMS1D2N03DSD nach Preis ab 1.47 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : onsemi |
MOSFET PT11N 30/12 & PT11 |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 54/126A Power dissipation: 26/42W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 4.9/1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33/117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS1D2N03DSD | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) |
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| FDMS1D2N03DSD | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 54/126A Power dissipation: 26/42W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 4.9/1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33/117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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