FDMS1D2N03DSD ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).