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Technische Details FDMS2D5N08C onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 105A, Pulsed drain current: 823A, Power dissipation: 138W, Case: Power56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 84nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMS2D5N08C nach Preis ab 3.38 EUR bis 7.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMS2D5N08C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 3136 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMS2D5N08C | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 |
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FDMS2D5N08C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMS2D5N08C | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 105A Pulsed drain current: 823A Power dissipation: 138W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDMS2D5N08C | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 105A Pulsed drain current: 823A Power dissipation: 138W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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