FDMS3606AS Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058, Verlustleistung Pd: 2.2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (16-Jan-2020).