FDMS3606AS ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details FDMS3606AS ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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FDMS3606AS | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS3606AS |
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auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)

