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FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C ON Semiconductor

fdms4d0n12c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS4D0N12C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 106W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi FDMS4D0N12C-D.PDF MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
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500+4.58 EUR
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
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3+9.65 EUR
10+6.43 EUR
100+4.61 EUR
500+4.43 EUR
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
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17+15.04 EUR
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
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Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
46+3.8 EUR
48+3.51 EUR
49+3.36 EUR
100+3.2 EUR
250+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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FDMS4D0N12C
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auf Bestellung 490 Stücke:
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46+3.8 EUR
48+3.59 EUR
49+3.47 EUR
100+3.38 EUR
250+3.31 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+4.34 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.75 EUR
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FDMS4D0N12C
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 5306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+4.05 EUR
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.65 EUR
10+6.43 EUR
100+4.61 EUR
500+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS4D0N12C 2619968.pdf
FDMS4D0N12C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.04 EUR
26+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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FDMS4D0N12C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH