| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.23 EUR |
| 10+ | 5.07 EUR |
| 100+ | 4.17 EUR |
| 500+ | 3.85 EUR |
| 3000+ | 3.38 EUR |
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Technische Details FDMS4D0N12C onsemi
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMS4D0N12C nach Preis ab 3.72 EUR bis 8.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FDMS4D0N12C | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFNDrain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V |
auf Bestellung 1703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS4D0N12C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS4D0N12C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |