Produkte > ONSEMI > FDMS6673BZ
FDMS6673BZ

FDMS6673BZ onsemi


fdms6673bz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+2.16 EUR
6000+ 2.08 EUR
9000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS6673BZ onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote FDMS6673BZ nach Preis ab 1.12 EUR bis 4.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
51+3.07 EUR
60+ 2.43 EUR
100+ 1.9 EUR
250+ 1.77 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 51
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
51+3.07 EUR
60+ 2.43 EUR
100+ 1.9 EUR
250+ 1.77 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 51
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Hersteller : onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
auf Bestellung 91720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.81 EUR
10+ 3.98 EUR
100+ 3.17 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS6673BZ_D-2312761.pdf MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 24259 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.84 EUR
13+ 4 EUR
100+ 3.2 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.29 EUR
3000+ 2.17 EUR
6000+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS6673BZ Hersteller : ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDMS6673BZ Hersteller : ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar