Technische Details FDMS7650 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm.
Weitere Produktangebote FDMS7650 nach Preis ab 1.9 EUR bis 6.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDMS7650 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS7650 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS7650 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS7650 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS7650 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench |
auf Bestellung 10959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS7650 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS7650 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm |
auf Bestellung 6387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDMS7650 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm |
auf Bestellung 6387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMS7650 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.9 EUR |
| FDMS7650 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.05 EUR |
| FDMS7650 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 207+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.84 EUR |
| 1000+ | 2.55 EUR |
| FDMS7650 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 207+ | 3.19 EUR |
| FDMS7650 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench
MOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 10959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.07 EUR |
| 10+ | 3.72 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 2.24 EUR |
| 3000+ | 2 EUR |
| FDMS7650 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.34 EUR |
| 10+ | 4.14 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| FDMS7650 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 6387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMS7650 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 6387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)