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FDMS8050

FDMS8050 onsemi

fdms8050-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
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Technische Details FDMS8050 onsemi

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS8050 FDMS8050 onsemi fdms8050-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
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FDMS8050 FDMS8050 onsemi fdms8050-d.pdf MOSFETs PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMS8050 ONSEMI fdms8050-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 285nC
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
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FDMS8050 FDMS8050 ON Semiconductor fdms8050-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
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Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
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Gate charge: 285nC
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Kind of channel: enhancement
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