Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8333L
FDMS8333L

FDMS8333L ON Semiconductor

fdms8333l-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
371+0.46 EUR
386+0.44 EUR
390+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS8333L ON Semiconductor

Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote FDMS8333L nach Preis ab 0.32 EUR bis 3.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS8333L FDMS8333L ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.49 EUR
371+0.44 EUR
386+0.4 EUR
390+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L FDMS8333L onsemi / Fairchild FDMS8333L-D.pdf MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 34079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.86 EUR
100+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L FDMS8333L ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
10000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
100+0.86 EUR
112+0.76 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L FDMS8333L onsemi fdms8333l-d.pdf MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 26045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L FDMS8333L onsemi fdms8333l-d.pdf Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
356+0.49 EUR
371+0.44 EUR
386+0.4 EUR
390+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L FDMS8333L-D.pdf
FDMS8333L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 34079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.9 EUR
10+0.86 EUR
100+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
690+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
10000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
100+0.86 EUR
112+0.76 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Hersteller: onsemi
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 26045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH