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FDMS8460

FDMS8460 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS8460 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
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FDMS8460 FDMS8460 onsemi / Fairchild FDMS8460-D.PDF MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
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FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
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FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
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5+4.63 EUR
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500+1.61 EUR
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FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1269 Stücke:
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49+5.12 EUR
72+3.22 EUR
105+2.06 EUR
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FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
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FDMS8460
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+1.19 EUR
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.3 EUR
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+1.39 EUR
126+1.37 EUR
140+1.2 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+1.51 EUR
116+1.48 EUR
118+1.43 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
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114+1.52 EUR
125+1.34 EUR
126+1.3 EUR
140+1.12 EUR
250+0.98 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+1.88 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460 FDMS8460-D.PDF
FDMS8460
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 5538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.22 EUR
10+2.34 EUR
100+2.32 EUR
3000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMS8460 ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8460
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
105+2.06 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
6000+1.23 EUR
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FDMS8460
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
auf Bestellung 8912 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.63 EUR
10+2.96 EUR
50+2.25 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMS8460 ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8460
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.12 EUR
72+3.22 EUR
105+2.06 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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FDMS8460
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
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