
FDMS8460 ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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235+ | 0.63 EUR |
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Technische Details FDMS8460 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote FDMS8460 nach Preis ab 1.02 EUR bis 4.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS8460 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V |
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FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS8460 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V |
auf Bestellung 19761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS8460 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 8437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8460 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8460 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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