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FDMS86101

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDMS86101 FDMS86101 ONSEMI ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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FDMS86101
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
79+2.21 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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FDMS86101
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Hersteller: ONN
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