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FDMS86101

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Produktcode: 198273
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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FDMS86101 FDMS86101 onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
auf Bestellung 14350 Stücke:
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FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 809 Stücke:
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61+2.42 EUR
73+1.86 EUR
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FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 809 Stücke:
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FDMS86101 FDMS86101 ON Semiconductor fdms86101-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 275 Stücke:
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FDMS86101 FDMS86101 onsemi / Fairchild FDMS86101-D.PDF MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
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FDMS86101 FDMS86101 onsemi fdms86101-d.pdf MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
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FDMS86101 FDMS86101 onsemi fdms86101-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
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10+3.13 EUR
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FDMS86101 FDMS86101 ONSEMI ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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FDMS86101 ONN fdms86101-d.pdf
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FDMS86101
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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AnzahlPreis
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FDMS86101
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
auf Bestellung 14350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86101
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 809 Stücke:
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AnzahlPreis
61+2.42 EUR
73+1.86 EUR
100+1.42 EUR
250+1.35 EUR
500+1.19 EUR
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FDMS86101
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
61+2.42 EUR
73+1.93 EUR
100+1.5 EUR
250+1.47 EUR
500+1.32 EUR
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FDMS86101
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
51+2.91 EUR
250+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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FDMS86101
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
auf Bestellung 35915 Stücke:
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AnzahlPreis
1+4.17 EUR
10+2.89 EUR
100+1.76 EUR
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FDMS86101
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench
auf Bestellung 30330 Stücke:
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FDMS86101
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
auf Bestellung 14589 Stücke:
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4+4.84 EUR
10+3.13 EUR
100+2.16 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.68 EUR
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FDMS86101 ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86101
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 11375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
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