FDMS86101 ON Semiconductor
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Technische Details FDMS86101 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.008 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMS86101 nach Preis ab 1.02 EUR bis 4.21 EUR
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FDMS86101 Produktcode: 198273
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 Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100/20V Nch Power Trench |
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FDMS86101 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
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FDMS86101 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.008 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86101 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86101 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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