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FDMS86101

Name: FDMS86101
Brand: ON Semiconductor
SKU: 227956-5
Price: 3990.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 198273

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDMS86101

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMS86101

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMS86101

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMS86101

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0014832364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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FDMS86101

Hersteller : ONN

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FDMS86101

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

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Anzahl	Preis
3000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMS86101

Hersteller : onsemi

MOSFETs 100/20V Nch Power Trench

auf Bestellung 31951 Stücke:

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Anzahl	Preis
1+	3.96 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.61 EUR
3000+	1.43 EUR

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FDMS86101

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs 100/20V Nch Power Trench

auf Bestellung 35915 Stücke:

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Anzahl	Preis
1+	4.17 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.57 EUR

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FDMS86101

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

auf Bestellung 14589 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	4.84 EUR
10+	3.13 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDMS86101

Hersteller : ONS/FAI

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FDMS86101

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®

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