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FDMS86104

FDMS86104 ON Semiconductor

fdms86104-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86104 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.02 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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500+1.24 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86104_D-3571686.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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25+2.36 EUR
100+1.95 EUR
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1000+1.78 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.02 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.02 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor 3665814169070226fdms86104.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7620892E9E28&compId=FDMS86104.pdf?ci_sign=03d85ffc106073716d97a9901a70e2a0b65b6804 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor 3665814169070226fdms86104.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7620892E9E28&compId=FDMS86104.pdf?ci_sign=03d85ffc106073716d97a9901a70e2a0b65b6804 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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