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FDMS86104

FDMS86104 ON Semiconductor

fdms86104-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 792 Stücke:
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87+1.93 EUR
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Technische Details FDMS86104 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 73W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
77+2.24 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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77+2.18 EUR
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500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDMS86104 FDMS86104 onsemi / Fairchild FDMS86104-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.87 EUR
10+2.45 EUR
100+2.12 EUR
500+2.05 EUR
1000+2.03 EUR
3000+1.89 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.13 EUR
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1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
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50+3.56 EUR
250+2.98 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2584 Stücke:
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1+5.95 EUR
10+3.39 EUR
100+2.56 EUR
500+2.43 EUR
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3000+2.23 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.21 EUR
43+3.9 EUR
100+2.62 EUR
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FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.2 EUR
100+2.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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FDMS86104
Hersteller: ON Semiconductor
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FDMS86104
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
2+2.87 EUR
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500+2.05 EUR
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10+3.39 EUR
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1000+2.39 EUR
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FDMS86104
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86104
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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