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FDMS86104

FDMS86104 ON Semiconductor

fdms86104-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86104 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V.

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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86104-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
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FDMS86104 FDMS86104 Hersteller : ONSEMI FDMS86104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
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