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FDMS86150

FDMS86150 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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Technische Details FDMS86150 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86150 FDMS86150 ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150 FDMS86150 onsemi fdms86150-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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FDMS86150 FDMS86150 ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
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FDMS86150 FDMS86150 ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150 FDMS86150 ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150 FDMS86150 onsemi / Fairchild FDMS86150-D.pdf MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
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FDMS86150 FDMS86150 onsemi fdms86150-d.pdf MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
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FDMS86150 FDMS86150 onsemi fdms86150-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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FDMS86150 FDMS86150 ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
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21+12.4 EUR
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100+5.01 EUR
500+4.47 EUR
1500+4.39 EUR
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+3.08 EUR
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+3.21 EUR
6000+3.14 EUR
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+3.24 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86150
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86150
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+4.33 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.77 EUR
3000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86150
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.01 EUR
500+4.47 EUR
1500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86150
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.99 EUR
33+5.34 EUR
35+4.94 EUR
100+4.2 EUR
250+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 17735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.52 EUR
10+5.81 EUR
100+3.94 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.61 EUR
3000+3.28 EUR
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FDMS86150
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.72 EUR
10+6.45 EUR
100+4.58 EUR
500+4.08 EUR
1000+4.02 EUR
3000+3.86 EUR
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FDMS86150
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
auf Bestellung 14161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.26 EUR
10+6.82 EUR
100+4.87 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS86150
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
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