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FDMS86150ET100

FDMS86150ET100 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86150ET100 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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500+2.18 EUR
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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19+9.38 EUR
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100+5.9 EUR
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi / Fairchild FDMS86150ET100-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
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18+10.1 EUR
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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2+16.95 EUR
10+11.58 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
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100+7.83 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
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26+6.89 EUR
100+5.9 EUR
500+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+10.01 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
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18+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+10.94 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+13.07 EUR
10+9.84 EUR
100+8.04 EUR
500+7.81 EUR
1000+7.52 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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